ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‍ಗಳು
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನ. ಇವುಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತಗಳ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಉನ್ನತೀಕರಿಸಲು, ವರ್ಧಿಸಲು ಅಥವ ತಡೆ ಹಿಡಿಯಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತವೆ. ಇದರ ಹೆಸರು "ಪ್ರಸಾರ" ಮತ್ತು "ತಡೆ" ( Trasfer ಮತ್ತು Resist -> Transist) ಎಂಬ ಪದಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ. ಹೇಗೆ Resist ಮಾಡುವುದು Resistor .. ಹಾಗೆ Transist ಮಾಡುವುದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್. ೧೯೨೫ರಲ್ಲಿ ಕೆನಡಾದ ಜೂಲಿಯಸ್ ಲಿಲಿಯನ್ಫೆಲ್ಡ್ ಮೊದಲ FET ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಗ್ಗೆ ಪ್ರಕಟಿಸಿ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಗೆದುಕೊಂಡಿದ್ದರು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವೇಷಿಸಿದ್ದು ವಿಲಿಯಮ್ ಶಾಕ್ಲೆ , ಬಾರ್ಡೀನ್ ಮತ್ತು ಬ್ರಾಟೇನ್ ಎಂಬ ಮೂವರು ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೩ ವಲಯಗಳಿವೆ, ಅವುಗಳನ್ನು ಬೇಸ್, ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಎಮಿಟರ್ ಏಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಯಾವಾಗಲೂ ಬೇಸ್ ವಲಯ ಕಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಲೆಕ್ಟರ್ ವಲಯ ಹಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೨ ಬಗೆ ಅವಾವುವೆಂದರೆ PNP ಮತ್ತು NPN, ಜಗತ್ತಿನಲ್ಲಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ NPN ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿದೆ.
ಕಾರ್ಯ
ಆನ್ ಆಗಿದ್ದಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತವನ್ನು ( ಕರೆಂಟ್ ಅಥವಾ ವೋಲ್ಟೇಜು) ಒಂದು ಕಡೆಯಿಂದ ಇನ್ನೊಂದು ಕಡೆಗೆ ಸಾಗಿಸುತ್ತದೆ ( Transfers) ಆಫ offಆಗಿದ್ದಾಗ ಈ ಸಂದೇಶದ ಸಾಗಣೆಗೆ ತಡೆ ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ(resists). ಮೂಲತಹ ಡಿಜಿಟಲ್ { ೦ ( off) ಮತ್ತು ೧ (on) ಸಂಕೇತಗಳಿಂದ ಮಾತ್ರ ಕೆಲಸಮಾದುವಂತಹುದು!} ವಸ್ತುವಾದ ಈ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು analog applications ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
ಬಗೆಗಳು[ಬದಲಾಯಿಸಿ]
BJT ಗಳು ಇಂದಿನ IC (Inegrated Circuit) ಗಳಲ್ಲಿ ಇಲ್ಲವೇನೋ ಎಂಬಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಬಳಕೆಯಾಗುತ್ತವೆ. BJT ಗಳಲ್ಲದೇ ಇನ್ನೊಂದು ರೀತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಿವೆ.ಇವುಗಳನ್ನು MOSFET( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ಅನ್ನುತ್ತಾರೆ. ಇಂದಿನ ಎಲ್ಲ IC ಗಳ ಜೀವಾಳ ಈ MOSFET ಗಳು.
BJT ಗಿಂತ ಬಹಳ ಹಿಂದೆಯೇ FET ( ೧೯೨೬) ಕಂಡು ಹಿಡಿದಿದ್ದರೂ ಬಹಳಷ್ಟು ದಿನ ಇದು ಅಜ್ನಾತವಾಸದಲ್ಲಿತ್ತು. ಸುಮಾರು ೬೦ನೆ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಮತ್ತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ( Inegrated Circuit ಗಳಲ್ಲಿ ) ಬಳಕೆಗೆ ಬಂತು. ಈಗಂತೂ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳು BJT ಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿ ಒಂದು ಚಿಪ್ ನ ಬಹುತೇಕ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಆಕ್ರಮಿಸಿಕೊಂಡಿವೆ.
ಇನ್ನು ಈ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಎರಡು ರೀತಿ. p-ಮಾಸ್ ಮತ್ತು n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‍ಗಳು.
n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( n ಅಂದ್ರೆ negative ) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( electron are charge carriers). p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( p ಅಂದ್ರೆ positive ) ಹೋಲ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( holes are charge carriers). ಈ p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳು n-ಮಾಸ್ ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸ್ವಲ್ಪ ನಿಧಾನ.
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನ. ಇವುಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತಗಳ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಉನ್ನತೀಕರಿಸಲು, ವರ್ಧಿಸಲು ಅಥವ ತಡೆ ಹಿಡಿಯಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತವೆ. ಇದರ ಹೆಸರು "ಪ್ರಸಾರ" ಮತ್ತು "ತಡೆ" ( Trasfer ಮತ್ತು Resist -> Transist) ಎಂಬ ಪದಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ. ಹೇಗೆ Resist ಮಾಡುವುದು Resistor .. ಹಾಗೆ Transist ಮಾಡುವುದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್. ೧೯೨೫ರಲ್ಲಿ ಕೆನಡಾದ ಜೂಲಿಯಸ್ ಲಿಲಿಯನ್ಫೆಲ್ಡ್ ಮೊದಲ FET ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಗ್ಗೆ ಪ್ರಕಟಿಸಿ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಗೆದುಕೊಂಡಿದ್ದರು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವೇಷಿಸಿದ್ದು ವಿಲಿಯಮ್ ಶಾಕ್ಲೆ , ಬಾರ್ಡೀನ್ ಮತ್ತು ಬ್ರಾಟೇನ್ ಎಂಬ ಮೂವರು ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೩ ವಲಯಗಳಿವೆ, ಅವುಗಳನ್ನು ಬೇಸ್, ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಎಮಿಟರ್ ಏಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಯಾವಾಗಲೂ ಬೇಸ್ ವಲಯ ಕಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಲೆಕ್ಟರ್ ವಲಯ ಹಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೨ ಬಗೆ ಅವಾವುವೆಂದರೆ PNP ಮತ್ತು NPN, ಜಗತ್ತಿನಲ್ಲಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ NPN ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿದೆ.
ಕಾರ್ಯ
ಆನ್ ಆಗಿದ್ದಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತವನ್ನು ( ಕರೆಂಟ್ ಅಥವಾ ವೋಲ್ಟೇಜು) ಒಂದು ಕಡೆಯಿಂದ ಇನ್ನೊಂದು ಕಡೆಗೆ ಸಾಗಿಸುತ್ತದೆ ( Transfers) ಆಫ offಆಗಿದ್ದಾಗ ಈ ಸಂದೇಶದ ಸಾಗಣೆಗೆ ತಡೆ ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ(resists). ಮೂಲತಹ ಡಿಜಿಟಲ್ { ೦ ( off) ಮತ್ತು ೧ (on) ಸಂಕೇತಗಳಿಂದ ಮಾತ್ರ ಕೆಲಸಮಾದುವಂತಹುದು!} ವಸ್ತುವಾದ ಈ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು analog applications ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.
ಬಗೆಗಳು[ಬದಲಾಯಿಸಿ]
BJT ಗಳು ಇಂದಿನ IC (Inegrated Circuit) ಗಳಲ್ಲಿ ಇಲ್ಲವೇನೋ ಎಂಬಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಬಳಕೆಯಾಗುತ್ತವೆ. BJT ಗಳಲ್ಲದೇ ಇನ್ನೊಂದು ರೀತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಿವೆ.ಇವುಗಳನ್ನು MOSFET( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ಅನ್ನುತ್ತಾರೆ. ಇಂದಿನ ಎಲ್ಲ IC ಗಳ ಜೀವಾಳ ಈ MOSFET ಗಳು.
BJT ಗಿಂತ ಬಹಳ ಹಿಂದೆಯೇ FET ( ೧೯೨೬) ಕಂಡು ಹಿಡಿದಿದ್ದರೂ ಬಹಳಷ್ಟು ದಿನ ಇದು ಅಜ್ನಾತವಾಸದಲ್ಲಿತ್ತು. ಸುಮಾರು ೬೦ನೆ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಮತ್ತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ( Inegrated Circuit ಗಳಲ್ಲಿ ) ಬಳಕೆಗೆ ಬಂತು. ಈಗಂತೂ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳು BJT ಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿ ಒಂದು ಚಿಪ್ ನ ಬಹುತೇಕ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಆಕ್ರಮಿಸಿಕೊಂಡಿವೆ.
ಇನ್ನು ಈ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಎರಡು ರೀತಿ. p-ಮಾಸ್ ಮತ್ತು n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‍ಗಳು.
n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( n ಅಂದ್ರೆ negative ) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( electron are charge carriers). p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( p ಅಂದ್ರೆ positive ) ಹೋಲ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( holes are charge carriers). ಈ p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳು n-ಮಾಸ್ ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸ್ವಲ್ಪ ನಿಧಾನ.
ಕಾಮೆಂಟ್‌ಗಳಿಲ್ಲ:
ಕಾಮೆಂಟ್‌ ಪೋಸ್ಟ್ ಮಾಡಿ